Особенности продукта
| Характеристики | 512 ГБ, 7050/4200 МБ/с |
| Формат накопителя | M.2 2280 |
| Дополнительная информация | Максимальная потребляемая мощность: 3,66 Вт AES-256/SM4/TCG-Opal 2.0/IEEE1667 Технология Agile ECC третьего поколения (4K LDPC), сквозная защита данных RAID5 и 6 Рабочая температура: 0°C - 70°C Температура хранения: -40°C - 85°C |
| Интерфейс | M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe |
| Цвет корпуса | Черный |
| Общее описание | Твердотельный накопитель HIKSEMI FUTURE 512 ГБ M.2 PCIe Gen4x4 NVMe 2280 (7050/4200 МБ/с) |
| Емкость | 512 ГБ |
| TBW (общее количество записанных байт) | 900.0 |
| Технология хранения данных | TLC |
| Тип накопителя | ТВЕРДОТЕЛЬНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ |
| Тип костной памяти | 3D NAND |
| Поддержка технологии S.M.A.R.T. | не |
| Поддержка технологии TRIM | нет |
Характеристики и комплектация товара могут быть изменены производителем без уведомления. Фотографии товара на сайте являются простыми иллюстрациями к нему и могут отличаться от фактического внешнего вида товара.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | HIKSEMI |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Состояние | Новое |
| Тип диска | SSD |
Информация для заказа
- Цена: Цену уточняйте

